[发明专利]一种多晶硅提纯用电子束熔炼高效装置

摘要

本发明涉及一种多晶硅提纯用电子束熔炼高效除杂装置。该装置上部分为电子束熔炼室，下部分为定向凝固室，三把电子枪分别垂直安装在电子束熔炼室的上壁，左右水平水冷铜坩埚与移动丝杠机构相连接，在熔炼室上壁的左右两侧各设置有硅原料入口，送料机构安装在原料入口的上端，水冷铸锭坩埚安装在定向凝固室中。水冷盘安装在水冷铸锭坩埚的底部，并与出锭顶升机构相连接。进水管和出水管与位于水冷铸锭坩埚底部的水冷盘相连通，电子束熔炼室的后方配置有高真空系统、送料仓、电控柜、操作台、高压电源和循环水冷系统。本发明解决了现有的电子束熔炼技术效率低、定向除杂效果不理想的问题，提供了一种提高电子束熔炼效率，消除新加入硅料熔化时对已扫描脱磷硅液的污染，提高了生产效率。

主权项

一种多晶硅提纯用电子束熔炼高效装置，该装置上部分为电子束熔炼室，下部分为定向凝固室，室壁为双层水冷结构，其特征在于电子束熔炼室包括吸附板(2)、电子枪(3)(4)(5)、左右水平水冷铜坩埚(7)(15)，其上设置有溢流口(10)(14)，三把电子枪分别垂直安装在电子束熔炼室的上壁，左水平水冷铜坩埚(7)与移动丝杠机构(16)相连接，右水平水冷铜坩埚(15)，与移动丝杠机构(28)相连接，移动丝杠机构(16)和(28)分别于熔炼室外壁的电机相连接，水平水冷铜坩埚(7)(1 5)的底部分别安装有滑轮(17)和(27)，在熔炼室上壁的左右两侧各设置有硅原料入口(1)和(6)，送料机构安装在原料入口的(1)和(6)上端，水冷铸锭坩埚(19)安装在定向凝固室中，水冷盘(21)安装在水冷铸锭坩埚(19)的底部，并与出锭顶升机构(22)相连接，进水管(23)和出水管(24)与位于水冷铸锭坩埚(19)底部的水冷盘(21)相连通，电子束熔炼室的后方配置有高真空系统、送料仓(35)、电控柜(37)、操作台(38)、高压电源(39)和循环水冷系统(40)。