[发明专利]一种清除光刻掩模板表面微尘颗粒的方法无效
| 申请号： | 201110150741.4 | 申请日： | 2011-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN102419511A | 公开（公告）日： | 2012-04-18 |
| 发明（设计）人： | 王剑;戴韫青;毛智彪 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/82 | 分类号： | G03F1/82 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种清除光刻掩模板表面微尘颗粒的方法，其特征在于，采用吸气方式清除光刻掩模板表面的微尘颗粒。本发明的一种清除光刻掩模板表面微尘颗粒的方法，由于将现有的采用吹气方式清除光刻掩模板表面的微尘颗粒的方法改为吸气方式，可以有效清除光刻掩模板表面的微尘颗粒，并避免了传统的吹气方式所带来的问题，工艺过程简单且易控制。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 清除 光刻 模板 表面 微尘 颗粒 方法 | ||
【主权项】：
一种清除光刻掩模板表面微尘颗粒的方法，其特征在于，采用吸气方式清除光刻掩模板表面的微尘颗粒。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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