[发明专利]一种优化高压LDMOS器件源漏穿通性能的方法无效
| 申请号： | 201110150742.9 | 申请日： | 2011-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN102420142A | 公开（公告）日： | 2012-04-18 |
| 发明（设计）人： | 谢欣云;黄晓橹;陈玉文 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/265;H01L29/10;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种优化高压LDMOS器件源漏穿通性能的方法，在基板上覆盖一光刻胶层，在光刻胶层上开一开口，在开口中露出基板，从开口处注入氧离子；除去基板上覆盖的光刻胶层，对基板进行高温退火处理，在开口下的基板中的离子注入区域形成二氧化硅隔离区；对基板注入离子，形成P阱和邻近并接触P阱的N-漂移区，二氧化硅隔离区位于P阱区域内。本发明通过在LDMOS器件源漏之间容易穿通地方注入离子的方式，注入一定浓度的氧离子，注入后再经过高温退火处理形成二氧化硅隔离区，利用二氧化硅的特点来提高LDMOS器件的源漏穿通电压。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 优化 高压 ldmos 器件 源漏穿 通性 方法 | ||
【主权项】：
一种优化高压LDMOS器件源漏穿通性能的方法，其特征在于：在基板上覆盖一光刻胶层，在光刻胶层上开一开口，在开口中露出基板，从开口处注入氧离子；除去基板上覆盖的光刻胶层，对基板进行高温退火处理，在开口下的基板中的离子注入区域形成二氧化硅隔离区；在基板中分别注入P型和N型的离子，分别形成P阱和邻近并接触P阱的N‑漂移区，二氧化硅隔离区位于P阱区域内；在P阱和N‑漂移区内分别进行N型离子注入以形成N型重掺杂区，N‑漂移区内设置的N型重掺杂区和N‑漂移区构成LDMOS器件的漏极区，P阱内形成的N型重掺杂区构成LDMOS器件的源极区；其中，植入P阱内N型重掺杂区时使二氧化硅隔离区所在的位置处于P阱内N型重掺杂区与N‑漂移区之间；在P阱内N型重掺杂区和N‑漂移区之间的P阱区域的上方生成栅氧化层和多晶硅栅极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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