[发明专利]具有过硅通孔的半导体器件无效
| 申请号： | 201110151685.6 | 申请日： | 2011-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN102280421A | 公开（公告）日： | 2011-12-14 |
| 发明（设计）人： | 姜郁成 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L23/528 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 张波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种具有过硅通孔的半导体器件。过硅通孔包括：第一金属插塞，具有圆柱形，穿过半导体衬底，且外周表面被第一绝缘膜围绕；隔离的半导体衬底，在该半导体衬底中且围绕被第一绝缘膜围绕的第一金属插塞；以及第二金属插塞，围绕该隔离的半导体衬底且被第二绝缘膜围绕。第一偏置电压施加到该隔离的半导体衬底，从而从该隔离的半导体衬底与该第一绝缘膜之间的界面起，耗尽层形成在该隔离的半导体衬底中。该第一偏置电压不同于施加到该半导体衬底的第二偏置电压，该半导体衬底是主半导体衬底，具有形成构成电路的晶体管的器件形成区。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 硅通孔 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：焊盘；以及在该焊盘下面的过硅通孔。
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