[发明专利]一种低硅高纯金属锰及其制备方法无效
申请号: | 201110151906.X | 申请日: | 2011-06-08 |
公开(公告)号: | CN102816962A | 公开(公告)日: | 2012-12-12 |
发明(设计)人: | 伍宏斌 | 申请(专利权)人: | 伍宏斌 |
主分类号: | C22C22/00 | 分类号: | C22C22/00;C22C1/02;F27D1/16 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 410006*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | 一种低硅高纯金属锰及其制备方法,采用中频炉做为熔炼设备,中频炉的倾炉支点靠近炉口,目的是出炉时,缩短炉口与铸钢模之间的距离,使熔融的金属锰对铸钢模不产生冲刷。中频炉采用镁砂筑炉,在炉内镁砂炉衬上抹涂厚度为0.3mm至15mm的已搅拌好的高强度耐磨高温浇注料,烘炉工艺采用缓慢升温的方法进行。烘炉完成后,用电解金属锰片或电解金属锰片与适量的高纯度钢铁为熔炼料,在中频炉中加入熔炼料至熔炼料完全熔融后出炉。金属锰铸锭冷却后,破碎,可得到低硅高纯金属锰。 | ||
搜索关键词: | 一种 高纯 金属锰 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种低硅高纯金属锰,其特征在于:其化学成份按质量百分比为:Mn>98.5%,Si<0.1%,P<0.02%,S<0.035%,Fe<1.2%,C<0.03%。
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