[发明专利]一种侧向发光的红外半导体发光管管芯的制备方法

摘要

本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种侧向发光的红外半导体发光管管芯的制备方法，其特征在于：在n型掺杂的GaAs衬底上依次生长n型GaAs缓冲层、n型Al0.45Ga0.55As下限制层、Al0.25Ga0.75As下波导层、Al0.07In0.02Ga0.91As/Al0.25Ga0.75As多量子阱、Al0.25Ga0.75As上波导层、p型Al0.45Ga0.55As上限制层、p型重掺杂GaAs欧姆接触层制得外延片；在p型GaAs欧姆接触层上生长绝缘层并光刻腐蚀出电极窗口，然后制备p面和n面电极，再将外延片分割成条状芯片，在条状芯片的前后两端生长增透介质膜；最后将条状芯片解理成单个发光管管芯。本发明简单、适用，功率可以达到几十毫瓦，可以广泛用于红外成像和红外探测领域。

主权项

一种侧向发光的红外半导体发光管管芯的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：1)在n型掺杂的GaAs衬底上依次生长n型GaAs缓冲层、n型Al0.45Ga0.55As下限制层、Al0.25Ga0.75As下波导层、Al0.07In0.02Ga0.91As/Al0.25Ga0.75As多量子阱、Al0.25Ga0.75As上波导层、p型Al0.45Ga0.55As上限制层、p型GaAs欧姆接触层；2)在p型GaAs欧姆接触层上生长一层1200～1500埃左右的SiO2绝缘层；3)在SiO2绝缘层上光刻腐蚀出电极窗口；4)在SiO2上生长金属电极层，Ti/Pt/Au，总厚度为2700～3500埃；5)将外延片磨抛减薄至120um～150um；6)在外延片n面生长金属电极层，Au/Ge/Ni并且加盖厚金约1um；7)在氢气气氛，温度为380摄氏度～420摄氏度下进行快速合金；8)用芯片解理设备将外延片分割成条状芯片，每条包含若干个管芯；9)在条状芯片的前后两端生长介质膜，两面均为增透膜，反射率控制在2％～5％之间，越小越好；10)将条状芯片解理成单个管芯。