[发明专利]半导体器件的制作方法有效
| 申请号： | 201110152390.0 | 申请日： | 2011-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN102820385A | 公开（公告）日： | 2012-12-12 |
| 发明（设计）人： | 谢红梅;刘煊杰 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L21/265;B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;顾珊 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制作半导体器件的方法，包括：提供均匀地掺杂有第一掺杂剂的半导体衬底，所述半导体衬底包括用于形成MEMS器件的第一区域和用于形成二极管的第二区域；在所述第二区域的部分中掺杂与第一掺杂剂具有相反导电类型的第二掺杂剂，以形成所述二极管；对所述半导体衬底进行减薄；以及在所述第一区域中形成所述MEMS器件。根据本发明的方法可以解决制作MEMS器件带来的K+污染问题，有效地避免热处理工艺对二极管的性能产生影响，并且还可以充分利用现有的CMOS工艺的生产设备，缩短MEMS器件的上市周期。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制作方法 | ||
【主权项】：
一种制作半导体器件的方法，包括：提供均匀地掺杂有第一掺杂剂的半导体衬底，所述半导体衬底包括用于形成MEMS器件的第一区域和用于形成二极管的第二区域；在所述第二区域的部分中掺杂与第一掺杂剂具有相反导电类型的第二掺杂剂，以形成所述二极管；对所述半导体衬底进行减薄；以及在所述第一区域中形成所述MEMS器件。
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