[发明专利]用于制造到达衬底的顶部接触的结构无效
| 申请号： | 201110152890.4 | 申请日： | 2008-02-29 |
| 公开（公告）号： | CN102222695A | 公开（公告）日： | 2011-10-19 |
| 发明（设计）人： | 吴俊泰;何宜修 | 申请（专利权）人： | 飞兆半导体公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 余刚;吴孟秋 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种半导体结构，该结构包括：起始半导体衬底，具有凹槽部；半导体材料，在凹槽部中，半导体材料具有高于起始半导体衬底的电阻率；体区，在半导体材料中延伸，体区和半导体材料具有相反的导电类型；源区，在体区中，源区和体区具有相反的导电类型；栅电极，栅电极邻近体区但与体区绝缘地延伸；以及第一互连层，在起始半导体衬底的非凹槽部之上延伸并与其接触，第一互连层和非凹槽部提供到达起始半导体衬底在半导体材料之下的部分的顶部电接触。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 到达 衬底 顶部 接触 结构 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，包括：起始半导体衬底，具有凹槽部；半导体材料，在所述凹槽部中，所述半导体材料具有高于所述起始半导体衬底的电阻率；体区，在所述半导体材料中延伸，所述体区和所述半导体材料具有相反的导电类型；源区，在所述体区中，所述源区和所述体区具有相反的导电类型；栅电极，所述栅电极邻近所述体区但与所述体区绝缘地延伸；以及第一互连层，在所述起始半导体衬底的非凹槽部之上延伸并与其接触，所述第一互连层和所述非凹槽部提供到达所述起始半导体衬底在所述半导体材料之下的部分的顶部电接触。
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