[发明专利]纳米级侧向成长磊晶的薄膜发光二极体及其制作方法有效
| 申请号： | 201110153259.6 | 申请日： | 2011-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN102214750A | 公开（公告）日： | 2011-10-12 |
| 发明（设计）人： | 李佳佑;王朝勋;邱镜学;郭浩中 | 申请（专利权）人： | 财团法人交大思源基金会 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/24;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139 | 代理人： | 孙皓晨 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种纳米级侧向成长磊晶的薄膜发光二极体及其制作方法。本发明的纳米级侧向成长磊晶的薄膜发光二极体包含有一基板；一位于基板上的接合金属层；一位于接合金属层上的第一电极；一位于第一电极上的半导体结构，其为侧向磊晶所形成；以及一位于半导体结构上的第二电极，上述的半导体结构未被第二电极所附盖的上表面形成有一纳米级粗糙化结构。本发明由侧向磊晶成长方式有效抑制半导体结构内的叠层缺陷与降低差排密度，提升发光层结晶品质，降低漏电流，同时半导体结构表面形成有粗化结构，以提升外部量子效率。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 侧向 成长 薄膜 发光 二极体 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种纳米级侧向成长磊晶的薄膜发光二极体，其特征在于，包含有：一基板；一接合金属层，其位于该基板上；一第一电极，其位于该接合金属层上；一半导体结构，其位于该第一电极上，该半导体结构是侧向磊晶形成；以及一第二电极，其位于该半导体结构上，该半导体结构未被该第二电极所附盖的上表面形成有一纳米级粗糙化结构。
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