[发明专利]高电压垂直晶体管的分段式柱布局

摘要

本发明涉及高电压垂直晶体管的分段式柱布局。在一个实施例中，制造在半导体管芯上的晶体管包括设置在半导体管芯的第一区域中的晶体管段的第一部分，和设置在与第一区域相邻的半导体管芯的第二区域中的晶体管段的第二部分。第一和第二部分中的每个晶体管段包括沿垂直方向延伸的半导体材料柱。第一和第二介电区域设置在所述柱的相对侧上。第一和第二场板分别设置在所述第一和第二介电区域中。与第一和第二部分邻接的晶体管段的外场板被分开或者被部分地合并。要强调的是，提供该摘要是为了遵守需要摘要的规定以使得检索者或其他读者迅速确定本技术公开的主题。

主权项

一种半导体器件，包括：设置在管芯上的多个晶体管段，每个晶体管段具有跑道形状，所述跑道形状具有沿第一横向伸长的长度和沿第二横向的宽度，每个晶体管段包括：半导体材料柱，所述柱包括延伸漏极区，所述延伸漏极区通过所述管芯沿垂直方向延伸；分别设置在所述柱的相对侧上的第一和第二介电区域，所述第一介电区域由所述柱横向包围，并且所述第二介电区域横向包围所述柱；分别设置在所述第一和第二介电区域中的第一和第二场板；其中，所述晶体管段被设置成多个部分，第一部分包括沿第二横向设置成并排关系的第一行晶体管段，第二部分包括沿第二横向设置成并排关系的第二行晶体管段，所述第一和第二部分的晶体管段每个沿第一横向被多个半导体材料伪柱分开，每个伪柱中心分别位于第一和第二部分的第一和第二相邻成对的晶体管段的圆形端之间。