[发明专利]可提高接触面积和减小电阻的插接式硅芯搭接结构及方法

摘要

本发明属于西门子法生产多晶硅过程中的硅芯搭接方法，尤其是涉及一种可提高接触面积和减小电阻的插接式硅芯搭接结构及方法，在横硅芯(2)两侧分别设有双面开槽(5)形成的搭接面(6)或设置为端部“U”卡口(7)；两根竖硅芯(3)的上端分别设有双面开槽(5)形成的搭接面(6)或设置为端部“U”卡口(7)；搭接方法包含横硅芯、竖硅芯的先期加工，硅芯搭接后放入还原炉内通入氢气和三氯氢硅，进行还原反应，所需的多晶硅在硅芯表面生成硅芯实现多次多晶硅的还原过程；本发明不仅使所搭接硅芯在搭接处有比较大的接触面，并且无需拉制目前所有工艺中的拉制硅芯圆球体这一步骤，而且确保了成品率的上升。

主权项

一种可提高接触面积和减小电阻的插接式硅芯搭接结构，包括一根横硅芯(2)和两根竖硅芯(3)，其特征是：在横硅芯(2)两侧分别设有双面开槽(5)形成的搭接面(6)或设置为端部“U”卡口(7)；两根竖硅芯(3)的上端分别设有双面开槽(5)形成的搭接面(6)或设置为端部“U”卡口(7)；所述横硅芯(2)两侧设置为双面开槽(5)的搭接面(6)时，所述两根竖硅芯(3)的上端便分别设置为端部“U”卡口(7)或所述横硅芯(2)两端设置为端部“U”卡口(7)时，所述两根竖硅芯(3)的上部便分别设置为双面开槽(5)的搭接面(6)；所述横硅芯(2)两侧的双面开槽(5)形成的搭接面(6)或端部“U”卡口(7)与所述两根竖硅芯(3)上端的端部“U”卡口(7)或两根竖硅芯(3)上部的双面开槽(5)形成的搭接面(6)进行吻合搭接形成提高接触面积和减小电阻的插接式硅芯搭接结构；所述横硅芯(2)或两根竖硅芯(3)设置的“U”卡口(7)为端部外开口。