[发明专利]氮化镓单晶的制备方法有效
| 申请号： | 201110153779.7 | 申请日： | 2011-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN102220640A | 公开（公告）日： | 2011-10-19 |
| 发明（设计）人： | 刘良宏;庄德津 | 申请（专利权）人： | 青岛铝镓光电半导体有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/40 | 分类号： | C30B29/40;C30B29/64;C30B25/18;C30B33/02 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 逯长明;王宝筠 |
| 地址： | 266101 山东省青岛市崂*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种氮化镓单晶的制备方法，在异质衬底上形成氮化镓厚膜之前，通过具有多个暴露异质衬底的岛状部分的钝化层，在其岛状部分上生长出氮化镓的晶柱，从而形成柱状网络的应力屈服层，在此应力屈服层上继续生长氮化镓厚膜。由于柱状网络的应力屈服层具有相对弱的机械强度，生长在异质衬底上的氮化镓结构在冷却过程中，在热应力的作用下，会在应力屈服层裂开，从而使氮化镓厚膜从异质衬底上剥离。通过冷却过程的热应力，而无需其他工艺手段就能实现氮化镓厚膜的剥离，制造成本低，易于实现。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 镓单晶 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种氮化镓单晶的制备方法，其特征在于，包括：提供异质衬底；对所述异质衬底进行氮化；在所述异质衬底上形成钝化层，所述钝化层具有多个暴露异质衬底的岛状部分；在所述岛状部分上生长氮化镓晶柱，所述氮化镓晶柱高于所述钝化层，以形成柱状网络的应力屈服层；在所述氮化镓晶柱的上部形成氮化镓薄膜，以使氮化镓晶柱的上部合并；在所述氮化镓薄膜上生长氮化镓厚膜；进行冷却，在热应力作用下应力屈服层裂开。
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