[发明专利]一种相变阻变多层结构存储器及其制备方法无效
| 申请号： | 201110154094.4 | 申请日： | 2011-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN102820425A | 公开（公告）日： | 2012-12-12 |
| 发明（设计）人： | 林殷茵;田晓鹏 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24;H01L21/82;G11C11/56 |
| 代理公司： | 上海元一成知识产权代理事务所(普通合伙) 31268 | 代理人： | 吴桂琴 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属半导体存储器技术领域，涉及一种相变阻变多层结构存储器及其制备方法。本存储器中，在上电极和下电极之间设相变材料和阻变材料存储介质层。所述存储介质层为阻变材料和相变材料双层叠层或相变材料、阻变材料、相变材料三层叠层结构。本发明的相变阻变多层结构存储器为一种工艺简便、成本低廉、可有效提高器件的均匀性和稳定性，及明显降低写操作电流的存储器，所述相变材料和阻变材料叠层结构与单层阻变材料相比，电场更容易集中在相变材料的多晶低阻区域，器件的稳定性和均匀性更好，可有效提高器件可靠性，同时由于采用多层结构，阻态也较单层结构高，降低功耗。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 相变 多层 结构 存储器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种相变阻变多层结构存储器，包括上电极和下电极，其特征在于，在上电极和下电极之间设相变材料和阻变材料存储介质层。
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