[发明专利]避免氧化炉管二氯乙烯失效的方法和装置有效
| 申请号： | 201110157046.0 | 申请日： | 2011-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN102820207A | 公开（公告）日： | 2012-12-12 |
| 发明（设计）人： | 李春龙;王桂磊;李俊峰;赵超 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) 11345 | 代理人： | 陈红 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种避免氧化炉管二氯乙烯失效的方法和装置，用于确保热氧化生长过程中二氯乙烯通过N2的携带方式正常通入所述氧化炉管内，对于每个含有二氯乙烯的工艺制程，采集其二氯乙烯重量减少的数据，如所述二氯乙烯重量减少的数据在正常值范围内，则说明每次都有足够量的二氯乙烯通进所述氧化炉管内。本发明通过直接监测DCE的重量是否减少来确保DCE送入氧化炉管内，消除了传统技术中通过监测N2的流量而间接地监测DCE是否送入氧化炉管所隐藏的不确定因素，保证了DCE能够有效去除SiO2生长过程的杂质离子，确保了SiO2的薄膜质量。 | ||
| 搜索关键词： | 避免 氧化 炉管 氯乙烯 失效 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种避免氧化炉管二氯乙烯失效的方法，用于确保热氧化生长过程中二氯乙烯通过N2的携带方式正常通入所述氧化炉管内，其特征是：对于每个含有二氯乙烯的工艺制程，采集其二氯乙烯重量减少的数据，以确保二氯乙烯重量的减少量在正常值范围内。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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