[发明专利]制作半导体元件的方法无效
| 申请号： | 201110157148.2 | 申请日： | 2011-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN102832125A | 公开（公告）日： | 2012-12-19 |
| 发明（设计）人： | 吕佐文;邓文仪;王俞仁;黄俊程;林建良;王韶韦;颜英伟;郑雅绮;詹书俨;杨建伦 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28;H01L21/205;H01L21/314 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种制作半导体元件的方法。首先提供一基底，该基底上设有一栅极结构。然后形成一堆叠薄膜于基底表面并覆盖栅极结构，且堆叠薄膜具有一氧化层与一氮化层，接着去除部分堆叠薄膜以于栅极结构两侧的基底中形成二凹槽并同时于栅极结构的侧壁形成一可去除间隙壁。随后在该多个凹槽中形成一具有刻面的材料层，且该材料层包含硅原子。 | ||
| 搜索关键词： | 制作 半导体 元件 方法 | ||
【主权项】：
一种制作半导体元件的方法，包含：提供一基底，该基底上设有一栅极结构；形成一堆叠薄膜于该基底表面并覆盖该栅极结构，且该堆叠薄膜具有一氧化层与一氮化层；去除部分该堆叠薄膜以于该栅极结构两侧的该基底中形成二凹槽并同时于该栅极结构的侧壁形成一可去除间隙壁(disposable spacer)；以及在该多个凹槽中形成一具有刻面的材料层，且该材料层包含硅原子。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于联华电子股份有限公司，未经联华电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110157148.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：音频转接装置
- 下一篇：一种网络变压器理线工装
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
