[发明专利]半导体发光结构无效
| 申请号： | 201110157149.7 | 申请日： | 2011-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN102779916A | 公开（公告）日： | 2012-11-14 |
| 发明（设计）人： | 李佳恩;方国龙;叶昭呈 | 申请（专利权）人： | 隆达电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/36 | 分类号： | H01L33/36;H01L33/14;H01L33/02 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体发光结构，其包括一基板、一第二型电极层、一反射层、一绝缘层、一第一型电极层、一第一型半导体层、一活化层以及一第二型半导体层。第二型电极层形成于该基板上，且形成一由多数个导电柱以及多数个导电墙交错连接所形成的电流扩散格栅。反射层及绝缘层依序形成于第二型电极层上，且覆盖各个导电柱及各个导电墙。第一型电极层、第一型半导体层及活化层依序形成于绝缘层上。第二型半导体层形成于活化层上，并且覆盖各个导电柱及各个导电墙。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 结构 | ||
【主权项】：
一种半导体发光结构，包括：基板，包括有发光区及非发光区；第二型电极层形成于该基板上，且在该发光区形成一由多个导电柱以及多个导电墙交错连接所形成的电流扩散格栅(grating)，其中每一该些导电柱和该些导电墙分别具有一平行于该基板的第一顶表面及第二顶表面；反射层及绝缘层依序形成于该第二型电极层上，覆盖该些导电柱及该些导电墙，并使该第一及第二顶表面裸露出来；第一型电极层、第一型半导体层、活化层依序形成于该发光区中的该绝缘层上；第二型半导体层形成于该活化层上，并且覆盖该些导电柱及该些导电墙；以及第一接触垫，形成于该非发光区的该第一型电极上。
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