[发明专利]等离子膜沉积方法无效
| 申请号： | 201110157541.1 | 申请日： | 2011-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN102268645A | 公开（公告）日： | 2011-12-07 |
| 发明（设计）人： | 万谷俊一 | 申请（专利权）人： | 本田技研工业株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/32 | 分类号： | C23C14/32 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 刘晓峰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种等离子膜沉积方法。等离子喷嘴(14)供应等离子化放电气体，被置于等离子喷嘴(14)与基底构件(10)之间的流量调节器(12)中的第一供应部分(22)供应第一液相原料。与第一供应部分(22)分开的第二供应部分(20)供应第二液相原料。通过等离子化放电气体被活化且在处于液相的同时沉积在基底构件(10)上的第一液相原料与通过等离子化放电气体被活化的第二液相原料相互作用，并且在基底构件(10)上凝固成膜。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子 沉积 方法 | ||
【主权项】：
一种等离子膜沉积方法，所述等离子膜沉积方法通过使通过等离子被活化的第一液相原料和第二液相原料相互作用并使所述第一液相原料凝固而在基底构件(10)的表面上沉积膜，所述方法包括以下步骤：从等离子喷嘴(14)供应等离子化放电气体，并且从被置于所述等离子喷嘴(14)与所述基底构件(10)之间的流量调节器(12)中的第一供应部分(22)供应所述第一液相原料；从与所述第一供应部分(22)分开的第二供应部分(20)供应所述第二液相原料；和通过使所述第一液相原料与所述第二液相原料相互作用在所述基底构件(10)上形成膜，其中所述第一液相原料通过所述等离子化放电气体被活化并在处于液相时沉积在所述基底构件(10)上，所述第二液相原料通过所述等离子化放电气体被活化。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于本田技研工业株式会社，未经本田技研工业株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110157541.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
