[发明专利]生产包括硅的半导体晶圆的方法有效
| 申请号： | 201110157591.X | 申请日： | 2011-06-02 |
| 公开（公告）号： | CN102277616A | 公开（公告）日： | 2011-12-14 |
| 发明（设计）人： | M·韦伯;W·沙兴格;P·菲拉尔 | 申请（专利权）人： | 硅电子股份公司 |
| 主分类号： | C30B15/14 | 分类号： | C30B15/14;C30B15/20;C30B30/04 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 蔡胜利 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 一种生产包括硅的半导体晶圆的方法，包括：从在坩埚中加热的熔融物拉出籽晶的单晶体；向坩埚底部的中心供应热量，其中加热功率在被拉出的单晶体的圆柱体状区段的进程中增加至少一次达到不小于2kW并接着再次下降；以及从拉出的单晶体切片半导体晶圆。 | ||
| 搜索关键词： | 生产 包括 半导体 方法 | ||
【主权项】：
一种生产包括硅的半导体晶圆的方法，包括：从在坩埚中加热的熔融物拉出籽晶的单晶体；向坩埚底部的中心供应热量，其中加热功率在被拉出的单晶体的圆柱体状区段的进程中增加至少一次达到不小于2kW并接着再次下降；以及从拉出的单晶体切片半导体晶圆。
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