[发明专利]一种CuInS2/ZnS核壳结构量子点及制备方法无效

专利信息
申请号: 201110157825.0 申请日: 2011-06-13
公开(公告)号: CN102277159A 公开(公告)日: 2011-12-14
发明(设计)人: 常津;郭伟圣;朱盛疆 申请(专利权)人: 天津大学
主分类号: C09K11/62 分类号: C09K11/62
代理公司: 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 代理人: 王丽
地址: 300072 天*** 国省代码: 天津;12
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摘要: 发明涉及一种CuInS2/ZnS核壳结构量子点及制备方法。CuInS2/ZnS核壳结构量子点的荧光发射峰位的范围620~810nm,荧光量子产率为19.8~49.2%。在一个反应容器里制备In3+与Cu+摩尔比为1∶1~3∶1的In、Cu混合前体溶液;在氩气保护下,以1℃/s的升温速率将In、Cu混合前体溶液从室温加热至230~270℃反应15~60min,制备得到CuInS2量子点溶液。向CuInS2量子点溶液中逐滴滴加锌前体溶液,在200~230℃反应30min后,移去热源自然冷却至室温离心纯化得到CuInS2/ZnS核壳结构量子点。本发明简化了目前的制备工艺,可重复性强,并以饱和脂肪硫醇作为反应溶剂提高了硫醇的使用效率;合成的CuInS2/ZnS量子点的荧光量子产率21~50%,合成周期短,工艺简单且重复性好,利于批量化生产。
搜索关键词: 一种 cuins sub zns 结构 量子 制备 方法
【主权项】:
一种CuInS2/ZnS核壳结构量子点,其特征在于:荧光发射峰位的范围620~810nm,荧光量子产率为19.8~49.2%。
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