[发明专利]硬质材质半导体元器件的金属钌薄膜的制备方法

摘要

本发明提供了一种硬质金属材质半导体元器件的金属钌薄膜的制备方法，运用了两种技术，分别为用于实现产品均匀粗糙度的反应离子刻蚀技术和用于金属钌涂层沉积的磁控溅射技术。本发明的有益效果主要体现在：与传统的工艺相比，新的工艺方法只需要在一个设备中完成；而且硬质金属材质半导体元器件的表面粗糙度非常均匀；成本低，而且无污染环境之危害。

主权项

一种硬质材质半导体元器件的金属钌薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：第一，对研磨抛光后的半导体元器件进行超声波清洗和氮气吹干；第二，将清洗完毕的半导体元器件安装于专用夹具上，需要处理的表面向外；第三，将真空镀膜室抽至1*10‑4Pa以上的真空度；第四，向真空镀膜室中通入高纯氩气和高纯四氟化碳气体，所述氩气和四氟化碳气体的流量分别为Ar‑30sccm，CF4‑120sccm；第五，开启刻蚀电极的电源，开始对半导体元器件进行反应离子刻蚀；离子刻蚀过程中，施加在刻蚀电极上的直流电压功率为2kW～4kW；离子刻蚀的时间为80分钟；第六，结束反应离子刻蚀后，重新将真空室抽气至1*10‑4Pa以上的真空度；第七，向真空镀膜室中通入高纯氩气，并保持真空度在1.5Pa至2.5Pa之间；第八，开启带有钌靶的磁控溅射阴极，开始沉积金属钌的镀膜工艺，沉积时施加在阴极靶上的电源功率的功率密度为10～15W/cm2，直至金属钌沉积涂层厚度500nm～700nm之间为止。