[发明专利]提高成品率的CCD生产方法无效
| 申请号： | 201110159834.3 | 申请日： | 2011-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN102201346A | 公开（公告）日： | 2011-09-28 |
| 发明（设计）人： | 翁雪涛 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十四研究所 |
| 主分类号： | H01L21/339 | 分类号： | H01L21/339;H01L29/765 |
| 代理公司： | 重庆辉腾律师事务所 50215 | 代理人： | 侯懋琪;卢胜斌 |
| 地址： | 400060 重庆市*** | 国省代码： | 重庆;85 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种提高成品率的CCD生产方法，将原来由3次制作成型的4个多晶硅层改为分4次制作，每次只制作一个多晶硅层。本发明的有益技术效果是：在低精度生产工艺线上，采用四次制作多晶硅条的生产方法，生产小像元CCD，避免了同层短路现象，既保证了产品的性能，还大幅提高了成品率；在不更换设备的条件下，使产品的成品率大幅提高，降低了生产成本，间接地扩大了低加工精度设备的适用范围；通过在2微米工艺线，用该生产方法生产像元尺寸为11微米×11微米的两相或4相CCD器件，生产的成品率高达70-80%。 | ||
| 搜索关键词： | 提高 成品率 ccd 生产 方法 | ||
【主权项】：
一种提高成品率的CCD生产方法，其特征在于：制作步骤为：1）制作第一次多晶硅条（1），对第一次多晶硅条（1）表面进行氧化处理；2）与第一次多晶硅条（1）间隔一定距离，制作第二次多晶硅条（2），对第二次多晶硅条（2）表面进行氧化处理；3）在第一次多晶硅条（1）与第二次多晶硅条（2）之间，制作第三次多晶硅条（3），对第三次多晶硅条（3）表面进行氧化处理；4）在第一次多晶硅条（1）或者第二次多晶硅条（2）的外侧，制作第四次多晶硅条（4），对第四次多晶硅条（4）表面进行氧化处理。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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