[发明专利]用于实现交叉传导或者半传导存取线的交叉杆阵列的方法

摘要

本发明涉及一种用于在衬底上实现交叉传导或者半传导存取线的交叉杆阵列的方法，该交叉杆阵列包括：在与衬底平行的平面中在交叉杆阵列绝缘体上的第一级线，包括在传导或者半传导材料中实现的相互平行的多个第一线；在第一级线上方的第二级线，包括在传导或者半传导材料中实现的相互平行的多个第二线，第二线与第一线基本上垂直。所述方法具体包括以下阶段：在衬底上形成基本上矩形形状的第一腔；形成向第一腔叠加的基本上矩形形状的第二腔，第一腔和第二腔相互垂直相交以便形成合成腔。本发明的方法在非易失性存储器设备领域中有特别令人感兴趣的应用。

主权项

一种用于在衬底(2)上实现交叉传导或者半传导存取线的交叉杆阵列的方法，所述交叉杆阵列包括：‑在与所述衬底(2)平行的平面中在交叉杆阵列绝缘体(4)上的第一级线，包括在传导或者半传导材料中实现的相互平行的多个第一线；‑在所述第一级线上方的第二级线，包括在传导或者半传导材料中实现的相互平行的多个第二线，所述第二线与所述第一线基本上垂直，其特征在于，所述方法包括以下阶段：‑在所述衬底(2)上形成(101)基本上矩形形状的第一腔(1)；‑形成(104)向所述第一腔(1)叠加的基本上矩形形状的第二腔(6)，所述第一腔和第二腔(1，6)相互垂直相交以便形成合成腔；‑利用第一双嵌段共聚物层(9)覆盖所述合成腔的基部，所述第一双嵌段共聚物层(9)包括由第一聚合物的线和第二聚合物的线交替形成的线阵列，所述线按照所述第二腔(6)的长度来平行布置；‑取出(107)所述第一聚合物的线，以便形成第一槽和所述第二聚合物的线的交替；‑实现第一传导或者半传导材料层在所述槽和所述第二聚合物的线上的保形沉积(109)；‑取出(110)由所述第一传导或者半传导材料覆盖的所述第二聚合物的线，以便实现所述第一级线；‑有选择地取出(111)形成所述第二腔(6)的材料，以便使所述第一腔(1)的按照它的宽度由所述第一级线部分覆盖的基部变成可存取；‑在已经变成可存取的所述第一腔(1)中沉积(113)第二传导或者半传导材料层；‑利用第二双嵌段共聚物层覆盖所述第二传导或者半传导材料层，所述第二双嵌段共聚物层包括由第三聚合物的线和第四聚合物的线交替形成的线阵列，所述线(P3，P4)与所述第一和第二聚合物的线(P1，P2)基本上垂直；‑取出(117)所述第四聚合物的线，以便形成第二槽和第三聚合物的线的交替；‑在所述第二槽中取出(118)所述第二传导或者半传导材料，以便实现所述第二级线。