[发明专利]MOS器件版图批量化设计方法有效
| 申请号： | 201110160075.2 | 申请日： | 2011-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN102831254A | 公开（公告）日： | 2012-12-19 |
| 发明（设计）人： | 李莹;毕津顺 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) 11345 | 代理人： | 陈红 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种MOS器件版图批量化设计的方法，包括：确定栅极层的形状和尺寸；以栅极层为自变量，确定有源区层的形状和尺寸；以有源区层为自变量，确定注入层、阱层的形状和尺寸；以栅极层和有源区层为自变量，确定通孔的形状和尺寸；以及以通孔为自变量，确定金属层的形状和尺寸。依照本发明的MOS管结构批量化设计方法，解决器件尺寸要求较多、器件尺寸变量较多的情况下，高效完成大量版图设计的问题，从而降低人工设计版图过程中产生的错误率，并缩短版图设计时间。 | ||
| 搜索关键词： | mos 器件 版图 批量 设计 方法 | ||
【主权项】：
一种MOS器件版图批量化设计的方法，包括：确定栅极层的形状和尺寸；以栅极层为自变量，确定有源区层的形状和尺寸；以有源区层为自变量，确定注入层、阱层的形状和尺寸；以栅极层和有源区层为自变量，确定通孔的形状和尺寸；以及以通孔为自变量，确定金属层的形状和尺寸。
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