[发明专利]通过热处理从所蚀刻的衬底去除卤素残余物的集成方法有效
| 申请号： | 201110160247.6 | 申请日： | 2007-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN102243989A | 公开（公告）日： | 2011-11-16 |
| 发明（设计）人： | 马克·纳什·卡瓦吉奇;洛金庞;布雷特·克里斯琴·胡金森;桑迪·M·温;史蒂文·H·金;肯尼恩·J·巴恩基;马修·芬顿·戴维斯;索斯藤·莱尔 | 申请（专利权）人： | 应用材料股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;钟强 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供了一种从衬底去除挥发性残余物的方法和装置。一个实施例中，于系统中在途中进行挥发性残余物去除工艺同时在衬底上进行卤素处理工艺。挥发性残余物去除工艺在除了卤素处置处理室和FOUP之外的系统中进行。一个实施例中，提供一种从衬底去除挥发性残余物的方法，该方法包括提供具有真空密封平台的处理系统，在平台处理室中用包括卤素的化学物质处理衬底，和在平台中处置被处理的衬底以从被处置的衬底释放挥发性残余物。 | ||
| 搜索关键词： | 通过 热处理 蚀刻 衬底 去除 卤素 残余物 集成 方法 | ||
【主权项】：
一种从衬底去除挥发性残余物的方法，包括：用包括卤素的化学物质在处理系统的处理室中处理衬底；将被处理的衬底从处理室传送到处理系统的真空交换腔室，其中该真空交换腔室配置成将衬底从处理系统内部的真空环境传送到处理系统外部的大气环境；和在供给该真空交换腔室的气体混合物存在下，在所述真空交换腔室中从被处理的衬底去除挥发性残余物，所述气体混合物选自O2、O3、H2O、烷类、烯烃、N2和H2组成组。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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