[发明专利]一种改善先栅极工艺高K栅电介质NMOS HCI方法无效
| 申请号： | 201110160326.7 | 申请日： | 2011-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN102420144A | 公开（公告）日： | 2012-04-18 |
| 发明（设计）人： | 谢欣云;陈玉文 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28;H01L21/265 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体制造领域中的一种改善NMOS器件热载流子效应的方法，更确切的说，本发明涉及一种改善先栅极工艺高K栅电介质NMOS器件热载流子效应的方法。本发明公开了一种改善NMOS器件热载流子效应的方法，通过在先栅极工艺制程中，于多晶硅栅形成后，在栅极中通过离子注入工艺注入氟离子，注入的氟离子经过源漏极离子注入热处理工艺，在界面处形成稳定的化学键，有效的提高NMOS器件抗HCI效应的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 栅极 工艺 电介质 nmos hci 方法 | ||
【主权项】：
一种改善先栅极工艺高K栅电介质NMOS HCI方法，其特征在于，包括以下步骤：于一衬底上依次淀积第一介质层和第一金属层以制备第一类半导体器件，选择性刻蚀所述第一金属层和所述第一介质层；依次淀积第二介质层和第二金属层以制备第二类半导体器件，选择性刻蚀所述第二金属层和所述第二介质层；淀积多晶硅层，刻蚀所述多晶硅层、所述第一、二金属层和所述第一、二介质层形成所述第一类半导体器件和所述第二类半导体器件的多晶硅栅；其中，在进行源漏极离子注入热处理之前，注入氟离子于所述第一类半导体器件区域。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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