[发明专利]一种超厚顶层金属的双大马士革工艺制作方法

摘要

本发明一般涉及半导体制造领域中的一种双大马士革工艺制作方法，更确切的说，本发明涉及一种超厚顶层金属的双大马士革工艺制作方法。本发明超厚顶层金属的双大马士革工艺制作方法，通过在通孔上采用高刻蚀选择比介电材料作硬掩模，沟槽上采用金属硬掩模，进行分步刻蚀，解决了通孔刻蚀高深宽比和通孔尺寸控制问题，并可降低生产成本，缩短生产周期。

主权项

一种超厚顶层金属的双大马士革工艺制作方法，其特征在于，包括以下步骤：于一硅片上依次淀积介电阻挡层、第一介电层和介电硬掩膜，刻蚀所述介电硬掩膜，形成通孔形介电硬掩膜开口；依次淀积第二介电层和金属硬掩膜于所述第一介电层上，刻蚀所述金属硬掩膜，形成沟槽形金属硬掩膜开口；以金属硬掩膜为掩膜刻蚀所述第二介电层，形成沟槽；以介电硬掩膜为掩膜刻蚀所述第一层介电层和所述介电阻挡层，形成通孔；依次淀积金属阻挡层和铜籽晶层，电镀铜以填满所述通孔和所述沟槽；最后采用化学机械研磨工艺进行平坦化处理。