[发明专利]铸造法生产类似单晶硅锭炉内融化后晶种稳定炉底的方法无效
| 申请号： | 201110160797.8 | 申请日： | 2011-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN102242392A | 公开（公告）日： | 2011-11-16 |
| 发明（设计）人： | 石坚;熊涛涛 | 申请（专利权）人： | 安阳市凤凰光伏科技有限公司;石坚 |
| 主分类号： | C30B11/00 | 分类号： | C30B11/00;C30B28/06;C30B29/06 |
| 代理公司： | 安阳市智浩专利代理事务所 41116 | 代理人： | 王好勤 |
| 地址： | 456400 河南*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种铸造法生产类似单晶硅锭炉内融化后晶种稳定炉底的方法，涉及晶种稳定在炉底的方法，GT多晶铸锭炉或四面加热器加顶部加热器铸锭炉中：a铸锭炉升温熔化过程中，当TC1达到1420摄氏度及以上时，保持TC1稳定，通过打开隔热笼，控制TC2在1200～1350摄氏度，TC2的控制时间在20～500分钟；b第一步完成后，保持TC1稳定，通过控制隔热笼，将TC2提升到1350～1400摄氏度，第二步稳定20～500分钟；c下降TC1至1410～1450摄氏度，进入长晶阶段。本发明的有益效果在于：通过本方法的控制，在GT或四面及顶面加热器的铸锭炉生长类似单晶过程中，在炉底使融化硅液始终处于过冷的粘稠状态，从而使晶种固化在炉底，不熔化或漂浮，可进一步降低晶种高度，从而降低成本。 | ||
| 搜索关键词： | 铸造 生产 类似 单晶硅 锭炉内 融化 后晶种 稳定 方法 | ||
【主权项】：
铸造法生产类似单晶硅锭炉内融化后晶种稳定炉底的方法，其特征在于：GT多晶铸锭炉或四面加热器加顶部加热器铸锭炉中：a铸锭炉升温熔化过程中，当TC1达到1420摄氏度及以上时，保持TC1稳定，通过打开隔热笼，控制TC2在1200～1350 摄氏度，TC2的控制时间在20～500分钟；b第一步完成后，保持TC1稳定，通过控制隔热笼，将TC2提升到1350～1400摄氏度，第二步稳定20～500分钟；c下降TC1至1410～1450摄氏度，进入长晶阶段。
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