[发明专利]模板、其制造方法以及制造半导体发光器件的方法无效
| 申请号： | 201110161012.9 | 申请日： | 2011-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN102593293A | 公开（公告）日： | 2012-07-18 |
| 发明（设计）人： | 吴忠锡;张成焕;奠镐壹;朴治权;朴健 | 申请（专利权）人： | 半材料株式会社;朴健 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/00;H01L21/02;C23C16/34 |
| 代理公司： | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人： | 林锦辉;陈英俊 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制造模板的方法。所述方法包括：在基底上生长第一氮化物层；通过将氯化物基刻蚀气体供给到所述第一氮化物层的顶面来刻蚀所述第一氮化物层的顶面；通过在第一氮化物层的顶面上生长第二氮化物层来形成多个第一空隙；通过将刻蚀气体供给到所述第二氮化物层的顶面来刻蚀第二氮化物层的顶面；以及通过在第二氮化物层的顶面上生长第三氮化物层来形成多个第二空隙。还公开了一种利用模板制造氮化物基半导体发光器件的方法。因此，晶格间应力和错位缺陷由于氮化物缓冲层中形成的多个空隙而减少，从而改善了模板中生长的多个氮化物层的质量。在利用模板制造发光器件的情况下，可以使制造过程更容易，并且提高发光器件的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 模板 制造 方法 以及 半导体 发光 器件 | ||
【主权项】：
一种包含氮化物缓冲层的模板，包括：基底；以及氮化物缓冲层，所述氮化物缓冲层形成在所述基底上以具有沿多条线堆叠和排列的多个空隙。
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