[发明专利]金属互连结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201110161470.2 | 申请日： | 2011-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN102832197A | 公开（公告）日： | 2012-12-19 |
| 发明（设计）人： | 李凡;张海洋 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/532 | 分类号： | H01L23/532;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种金属互连结构及其形成方法，其中金属互连结构的形成方法包括：提供半导体衬底，在半导体衬底上形成介质层；在所述介质层内形成分立的金属互连层，所述金属互连层表面与介质层表面齐平；在金属互连层上形成金属帽盖层；在介质层和金属帽盖层上形成分子筛；透过分子筛向介质层通入反应气体，去除部分介质层，在至少一对相邻的金属互连层之间形成空气间隔。本技术方案通过在介质层和金属帽盖层上形成分子筛，并透过分子筛向介质层通入反应气体，去除部分介质层，形成空气间隔，这样可以减小寄生电容，且制作工艺简单，从而改善半导体器件的电压击穿和与时间相关的介质击穿特性。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 互连 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种金属互连结构的形成方法，其特征在于，包括如下步骤：提供半导体衬底，在半导体衬底上形成介质层；在所述介质层内形成分立的金属互连层，所述金属互连层表面与介质层表面齐平；在所述金属互连层上形成金属帽盖层；在所述介质层和金属帽盖层上形成分子筛；透过所述分子筛向所述介质层通入反应气体，去除部分介质层，在至少一对相邻的金属互连层之间形成空气间隔。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110161470.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种半导体直流光电变压器
- 下一篇：插件加载方法及系统
