[发明专利]侧面可浸润半导体器件有效
| 申请号： | 201110162405.1 | 申请日： | 2011-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN102789994A | 公开（公告）日： | 2012-11-21 |
| 发明（设计）人： | 王金全 | 申请（专利权）人： | 飞思卡尔半导体公司 |
| 主分类号： | H01L21/58 | 分类号： | H01L21/58;H01L21/60;H01L23/495 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 刘光明;穆德骏 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 从引线框架或基板面板装配侧面可浸润半导体器件：用第一切割工具至少部分地底切引线框架或基板面板，以暴露引线框架的侧面；以及在将引线框架或基板面板切单为单个半导体器件之前，向暴露侧面施加锡或锡合金的涂敷。该方法包括在施加锡或锡合金涂敷之前，电互连与相邻半导体器件关联的引线框架侧面。引线框架侧面可以在丝线键合过程中被电气互连。 | ||
| 搜索关键词： | 侧面 浸润 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种装配侧面可浸润半导体器件的方法，包括：提供引线框架或基板面板；采用第一切割工具至少部分地底切引线框架或基板面板，以暴露所述引线框架的侧面；以及在将引线框架或基板面板切单为单个半导体器件前，向所述暴露的侧面施加锡或锡合金的涂敷。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
