[发明专利]具有快速写入特性的相变存储装置有效
| 申请号： | 201110162827.9 | 申请日： | 2011-06-10 |
| 公开（公告）号： | CN102592664A | 公开（公告）日： | 2012-07-18 |
| 发明（设计）人： | 吴昭谊;施彦豪;李明修 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/56 | 分类号： | G11C11/56;H01L27/24;H01L45/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 宋焰琴 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提出一种存储装置。该装置包括可编程阻抗存储单元，包括电性预应力目标存储单元，该预应力目标存储单元具有一较低电压过渡门限、一较短延时设定间隔与一较长复位状态保持特性的其中之一，偏压电路是包括在装置上并经配置以控制该预应力操作，且以施加能够因应该预应力存储单元而修改的读取、设定以及复位操作。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 快速 写入 特性 相变 存储 装置 | ||
【主权项】：
一种集成电路，其特征在于，包含：在一衬底上的多个存储单元包含一可编程阻抗存储材料；以及一控制器经配置以施加偏压操作至这些存储单元中的目标存储单元，与其中对该目标存储单元的该偏压操作造成该目标存储单元具有所选择的操作特性，以及根据该所选择的操作特性以施加一写入程序至该目标存储单元。
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