[发明专利]一种等离子刻蚀残留物清洗液在审
| 申请号： | 201110162958.7 | 申请日： | 2011-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN102827707A | 公开（公告）日： | 2012-12-19 |
| 发明（设计）人： | 孙广胜;刘兵;彭洪修 | 申请（专利权）人： | 安集微电子科技（上海）有限公司 |
| 主分类号： | C11D7/26 | 分类号： | C11D7/26;C11D7/50;C11D7/32;C11D7/34;C11D7/10;G03F7/42 |
| 代理公司： | 上海翰鸿律师事务所 31246 | 代理人： | 李佳铭 |
| 地址： | 201201 上海市浦东新区华东路*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种含氟的半导体工业中等离子刻蚀残留物清洗液，该清洗液组合物含有：a)有机溶剂 5％～75％；b)水 10％～50％；c)氟化物 0.1％～20％；d)有机胺 0.1％～20％；e)氨基酸 0.1％～10％；f)胍类 0.01％～5％，优选0.05％～2％；g)苯并三氮唑及其衍生物 0.01％～5％。本发明的清洗液组合物可有效地清洗半导体制造过程中等离子刻蚀残留物，对于基材如低介质材料(SiO2、PETEOS)和一些金属物质(如Ti，Al，Cu)等具有较低的蚀刻速率，同时具有抑制铝铜合金流电腐蚀的能力，在半导体晶片清洗等微电子领域具有良好的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 等离子 刻蚀 残留物 清洗 | ||
【主权项】：
一种等离子刻蚀残留物的清洗液，其包括：有机溶剂、水、氟化物、有机胺、氨基酸、胍类和苯并三氮唑及其衍生物。
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