[发明专利]绝缘栅型硅光伏电源组件有效
申请号: | 201110163096.X | 申请日: | 2011-06-17 |
公开(公告)号: | CN102231395A | 公开(公告)日: | 2011-11-02 |
发明(设计)人: | 郭建国;毛星原 | 申请(专利权)人: | 郭建国;毛星原 |
主分类号: | H01L31/042 | 分类号: | H01L31/042;H01L31/0224;H02N6/00 |
代理公司: | 江苏致邦律师事务所 32230 | 代理人: | 樊文红 |
地址: | 210094 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 一种绝缘栅型硅光伏电源组件,包括绝缘栅型硅光伏电池,所述的绝缘栅型硅光伏电池是由p型半导体、n型半导体及两者之间的pn结组成的单晶硅或多晶硅光伏电池,在光伏电池的光辐射面与背面分别设有表面电极和背面电极,在所述的绝缘栅型硅光伏电池的n型半导体光辐射面的上面依次设有透明减反绝缘膜、透明导电膜;n型半导体光辐射面、透明减反绝缘膜和透明导电膜之间构成一个绝缘栅结,透明导电膜为控制栅级;所述p型半导体背面电极为正电极,N型半导体栅型表面电极为负电极;所述透明导电膜与p型半导体背面电极之间设有外加电场电压源,外加电场电压源正电极连接控制栅级,负电极连接p型半导体背面电极。 | ||
搜索关键词: | 绝缘 栅型硅光伏 电源 组件 | ||
【主权项】:
一种绝缘栅型硅光伏电源组件,包括绝缘栅型硅光伏电池,所述的绝缘栅型硅光伏电池是由p型半导体、n型半导体及两者之间的pn结组成的单晶硅或多晶硅光伏电池,在光伏电池的光辐射面与背面分别设有表面电极和背面电极,其特征是,在所述的绝缘栅型硅光伏电池的n型半导体光辐射面的上面依次设有透明减反绝缘膜、透明导电膜;n型半导体光辐射面、透明减反绝缘膜和透明导电膜之间构成一个绝缘栅结,透明导电膜为控制栅级;所述p型半导体背面电极为正电极,N型半导体栅型表面电极为负电极;所述透明导电膜与p型半导体背面电极之间设有外加电场电压源V1,外加电场电压源V1正电极连接控制栅级,负电极连接p型半导体背面电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的