[发明专利]绝缘栅型硅光伏电源组件有效

专利信息
申请号: 201110163096.X 申请日: 2011-06-17
公开(公告)号: CN102231395A 公开(公告)日: 2011-11-02
发明(设计)人: 郭建国;毛星原 申请(专利权)人: 郭建国;毛星原
主分类号: H01L31/042 分类号: H01L31/042;H01L31/0224;H02N6/00
代理公司: 江苏致邦律师事务所 32230 代理人: 樊文红
地址: 210094 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 一种绝缘栅型硅光伏电源组件,包括绝缘栅型硅光伏电池,所述的绝缘栅型硅光伏电池是由p型半导体、n型半导体及两者之间的pn结组成的单晶硅或多晶硅光伏电池,在光伏电池的光辐射面与背面分别设有表面电极和背面电极,在所述的绝缘栅型硅光伏电池的n型半导体光辐射面的上面依次设有透明减反绝缘膜、透明导电膜;n型半导体光辐射面、透明减反绝缘膜和透明导电膜之间构成一个绝缘栅结,透明导电膜为控制栅级;所述p型半导体背面电极为正电极,N型半导体栅型表面电极为负电极;所述透明导电膜与p型半导体背面电极之间设有外加电场电压源,外加电场电压源正电极连接控制栅级,负电极连接p型半导体背面电极。
搜索关键词: 绝缘 栅型硅光伏 电源 组件
【主权项】:
一种绝缘栅型硅光伏电源组件,包括绝缘栅型硅光伏电池,所述的绝缘栅型硅光伏电池是由p型半导体、n型半导体及两者之间的pn结组成的单晶硅或多晶硅光伏电池,在光伏电池的光辐射面与背面分别设有表面电极和背面电极,其特征是,在所述的绝缘栅型硅光伏电池的n型半导体光辐射面的上面依次设有透明减反绝缘膜、透明导电膜;n型半导体光辐射面、透明减反绝缘膜和透明导电膜之间构成一个绝缘栅结,透明导电膜为控制栅级;所述p型半导体背面电极为正电极,N型半导体栅型表面电极为负电极;所述透明导电膜与p型半导体背面电极之间设有外加电场电压源V1,外加电场电压源V1正电极连接控制栅级,负电极连接p型半导体背面电极。
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