[发明专利]CMOS图像传感器及其形成方法有效
| 申请号： | 201110163124.8 | 申请日： | 2011-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN102231381A | 公开（公告）日： | 2011-11-02 |
| 发明（设计）人： | 霍介光 | 申请（专利权）人： | 格科微电子（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明的实施例提供了一种CMOS图像传感器，包括：基底；位于基底表面的层间介质层；第一导电插塞和与所述导电插塞相连的第一金属层，所述第一导电插塞和第一金属层均位于所述层间介质层内；位于所述层间介质层表面的隔离层，所述隔离层内具有暴露出所述第一金属层的通孔；填充满所述通孔的第二导电插塞；位于所述隔离层表面、与第二导电插塞相连的第二金属层。相应的，本发明的实施例还提供了一种CMOS图像传感器的形成方法。采用本发明的实施例形成的CMOS图像传感器的成像质量高，形成工艺简单。 | ||
| 搜索关键词： | cmos 图像传感器 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种CMOS图像传感器，包括：基底；位于基底表面的层间介质层；其特征在于，还包括：第一导电插塞和与所述第一导电插塞相连的第一金属层，所述第一导电插塞和第一金属层均位于所述层间介质层内；位于所述层间介质层表面的隔离层，所述隔离层内具有暴露出所述第一金属层的通孔；填充满所述通孔的第二导电插塞；位于所述隔离层表面、与第二导电插塞相连的第二金属层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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