[发明专利]预防超低介电常数薄膜损伤的方法无效
| 申请号： | 201110163838.9 | 申请日： | 2011-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN102427053A | 公开（公告）日： | 2012-04-25 |
| 发明（设计）人： | 徐强;张文广;郑春生;陈玉文 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种预防超低介电常数薄膜损伤的方法，本发明对超低介电常数薄膜进行有选择性的紫外光照射，将需要做沟槽互联的地方用光掩膜板中不透光的部分遮住，而不做沟槽的地方利用光刻机中的紫外光（UV）进行光照，有效去除互连线沟槽内的微孔，从而实现提高器件的性能，降低超低介电常数薄膜损伤的技术效果。 | ||
| 搜索关键词： | 预防 介电常数 薄膜 损伤 方法 | ||
【主权项】：
一种预防超低介电常数薄膜损伤的方法，其特征在于， 步骤a：在一介电薄膜上设置一光掩膜板，所述介电薄膜内掺杂有成孔剂，光掩膜板中不透光的部分遮住的区域为互连线沟槽区域；步骤b：对介电薄膜进行光照，以去除未被光掩膜板遮挡区域的介电薄膜内的成孔剂；步骤c：在介电层上的互连线沟槽区域进行刻蚀以形成互连线沟槽；步骤d：在互连线沟槽内进行铜扩散阻挡层的淀积，之后进行电镀铜工艺和化学机械研磨。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华力微电子有限公司，未经上海华力微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110163838.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种包装软管及其制备方法
- 下一篇：一种元器件定点开封的方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
