[发明专利]确定场效应管老化条件的方法、场效应管老化方法及场效应管筛选方法有效
申请号: | 201110163890.4 | 申请日: | 2011-06-17 |
公开(公告)号: | CN102832102A | 公开(公告)日: | 2012-12-19 |
发明(设计)人: | 赵妙;刘新宇;郑英奎;欧阳思华;李艳奎 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;G01R31/26;B07C5/344 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 逯长明 |
地址: | 100029 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种确定场效应管老化条件的方法、一种场效应管老化方法及一种场效应管筛选方法,可以通过在预设的老化台温度下,为场效应管施加多个不同直流功率,并检测与直流功率对应的峰值结温,从而获得老化台温度、直流功率与峰值结温之间的关系方程式。只需要根据场效应管的最高允许结温,就可以使用所获得的关系方程式确定老化中老化台的温度和需要为场效应管施加的直流功率值,从而实现了场效应管的高效老化。 | ||
搜索关键词: | 确定 场效应 老化 条件 方法 筛选 | ||
【主权项】:
一种确定场效应管老化条件的方法,其特征在于,包括:在预设老化台温度下,为场效应管输入预设的漏端电压;改变场效应管的栅压;检测在不同栅压下,该场效应管的直流功率以及该直流功率下场效应管的峰值结温,获得多组相对应的老化台温度、直流功率值和峰值结温;根据所述多组相对应的老化台温度、直流功率值和峰值结温,获得该场效应管老化台温度、直流功率和峰值结温之间的关系方程式;根据该场效应管的最高允许结温,使用所述关系方程式确定该场效应管最高允许结温所对应的老化台温度和直流功率值。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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