[发明专利]快恢复二极管制造方法有效

专利信息
申请号: 201110163951.7 申请日: 2011-06-17
公开(公告)号: CN102832121A 公开(公告)日: 2012-12-19
发明(设计)人: 吴振兴;孙宝刚;朱阳军;赵佳;卢烁今 申请(专利权)人: 中国科学院微电子研究所
主分类号: H01L21/329 分类号: H01L21/329
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 逯长明
地址: 北京市*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明实施例公开了一种快恢复二极管制造方法,该方法包括:提供一N+衬底和一N-衬底;在所述N+衬底的正面外延一N型层作为FS层;使所述FS层的表面与N-衬底的一个表面通过键合的方式连接起来;对所述N-衬底进行减薄,并在减薄后的N-衬底的表面形成P+层及第一金属层;对所述N+衬底的背面进行减薄,并在减薄后的N+衬底的背面形成第二金属层。本发明所提供的方法可制造不同耐压范围的快恢复二极管,适用范围较宽;且该方法相比外延工艺来说可降低制作成本,相比扩散工艺来说可提高所形成的快恢复二极管的性能;再有,该方法还能降低工艺过程中产生碎片的几率。
搜索关键词: 恢复 二极管 制造 方法
【主权项】:
一种快恢复二极管制造方法,其特征在于,包括:提供一N+衬底和一N‑衬底;在所述N+衬底的正面外延一N型层作为FS层;使所述FS层的表面与N‑衬底的一个表面通过键合的方式连接起来;对所述N‑衬底进行减薄,并在减薄后的N‑衬底的表面形成P+层及第一金属层;对所述N+衬底的背面进行减薄,并在减薄后的N+衬底的背面形成第二金属层。
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