[发明专利]快恢复二极管制造方法有效
| 申请号： | 201110163951.7 | 申请日： | 2011-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN102832121A | 公开（公告）日： | 2012-12-19 |
| 发明（设计）人： | 吴振兴;孙宝刚;朱阳军;赵佳;卢烁今 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/329 | 分类号： | H01L21/329 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种快恢复二极管制造方法，该方法包括：提供一N+衬底和一N-衬底；在所述N+衬底的正面外延一N型层作为FS层；使所述FS层的表面与N-衬底的一个表面通过键合的方式连接起来；对所述N-衬底进行减薄，并在减薄后的N-衬底的表面形成P+层及第一金属层；对所述N+衬底的背面进行减薄，并在减薄后的N+衬底的背面形成第二金属层。本发明所提供的方法可制造不同耐压范围的快恢复二极管，适用范围较宽；且该方法相比外延工艺来说可降低制作成本，相比扩散工艺来说可提高所形成的快恢复二极管的性能；再有，该方法还能降低工艺过程中产生碎片的几率。 | ||
| 搜索关键词： | 恢复 二极管 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种快恢复二极管制造方法，其特征在于，包括：提供一N+衬底和一N‑衬底；在所述N+衬底的正面外延一N型层作为FS层；使所述FS层的表面与N‑衬底的一个表面通过键合的方式连接起来；对所述N‑衬底进行减薄，并在减薄后的N‑衬底的表面形成P+层及第一金属层；对所述N+衬底的背面进行减薄，并在减薄后的N+衬底的背面形成第二金属层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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