[发明专利]形成自对准接触物的方法及具有自对准接触物的集成电路有效
| 申请号： | 201110165411.2 | 申请日： | 2011-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN102760700A | 公开（公告）日： | 2012-10-31 |
| 发明（设计）人： | 何家铭;陈逸男;刘献文 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L21/768;H01L27/088;H01L23/522 |
| 代理公司： | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人： | 余朦;王艳春 |
| 地址： | 中国台湾桃园县龟山*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种形成自对准接触物的方法，包括：提供基板，其上具有晶体管，其中该晶体管包括罩幕层及形成于该罩幕层相对侧的一对绝缘间隔物；在该基板之上形成介电层，并覆盖该晶体管；移除该介电层的部份，以露出该晶体管的顶部；在该介电层与该晶体管的该顶部上顺应地形成阻障层；蚀刻该阻障层，在该晶体管的该一对绝缘间隔物中的一个上部边角处留下保护阻障物；施行蚀刻程序，将该保护阻障物与该罩幕层用做蚀刻罩幕，进而形成露出该晶体管的源极/汲极区的自对准接触开口及由该保护阻障物所覆盖的介电间隔物；以及在该自对准接触开口内形成导电层以接触该晶体管该源极/汲极区。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 对准 接触 方法 具有 集成电路 | ||
【主权项】：
一种形成自对准接触物的方法，包括：提供基板，所述基板上具有晶体管，其中所述晶体管包括罩幕层及形成于所述罩幕层的相对侧的一对绝缘间隔物；在所述基板上形成介电层，并覆盖所述晶体管；移除所述介电层的部份，以露出所述晶体管的顶部；在所述介电层与所述晶体管的所述顶部上形成阻障层；蚀刻所述阻障层，在所述晶体管的所述一对绝缘间隔物中的一个上部边角处留下保护阻障物；施行蚀刻程序，将所述保护阻障物与所述罩幕层用做蚀刻罩幕，进而形成露出所述晶体管的源极/汲极区的自对准接触开口以及由所述保护阻障物所覆盖的介电间隔物；以及在所述自对准接触开口内形成导电层以接触所述晶体管的所述源极/汲极区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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