[发明专利]存储元件和存储装置有效
| 申请号： | 201110166046.7 | 申请日： | 2011-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN102385909A | 公开（公告）日： | 2012-03-21 |
| 发明（设计）人： | 大森广之;细见政功;别所和宏;肥后丰;山根一阳;内田裕行 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16;G11C11/02 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人： | 褚海英;武玉琴 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种存储元件和包含该存储元件的存储装置，所述存储元件包括：存储层，其配置为基于磁性材料的磁化状态而保持信息；磁化固定层；和非磁性中间层。所述存储层包括：垂直磁化层，其磁化方向处于垂直于膜面的方向；非磁性层；和强磁性层，其沿膜面内方向具有易磁化轴，并且该强磁性层的磁化方向相对于垂直于膜面的方向倾斜处于15度～45度范围内的角度，通过垂直磁化层隔着非磁性层与强磁性层的堆叠，并且在垂直磁化层和强磁性层之间进行磁耦合，从而构成所述存储层。本发明通过在存储元件的存储层中的强磁性层的磁化和垂直磁化层的磁化的方向的反转，可缩短将信息记录在存储元件中所必需的反转时间，还可减小该反转时间的差异。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 元件 装置 | ||
【主权项】：
一种存储元件，其包括：存储层，其配置为基于磁性材料的磁化状态而保持信息，并且该存储层包括：垂直磁化层，其磁化方向处于垂直于膜面的方向；非磁性层；和强磁性层，其沿膜面内方向具有易磁化轴，并且该强磁性层的磁化方向相对于垂直于所述膜面的方向倾斜处于15度～45度范围内的角度，通过所述垂直磁化层隔着所述非磁性层与所述强磁性层的堆叠，并且在所述垂直磁化层和所述强磁性层之间进行磁耦合，从而构成所述存储层；磁化固定层，其配置为具有固定在垂直于所述膜面的方向的磁化方向；和非磁性中间层，其配置为设置在所述存储层和所述磁化固定层之间，其中，通过沿所述各层的堆叠方向施加电流来记录信息。
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