[发明专利]带有本征层的异质结结构的晶体硅太阳电池及制备方法

摘要

本发明公开了一种带有本征层的异质结结构的晶体硅太阳电池及制备方法，该晶体硅太阳电池包括晶体硅基底和上下非晶氧化铝钝化介质层，上表面非晶氧化铝钝化介质层之上为p型掺杂非晶硅碳薄膜和TCO层，下表面非晶氧化铝钝化介质层之下为n型掺杂非晶硅或微晶硅薄膜和TCO层，上下表面TCO层均与金属栅电极连接。其制备方法包括非晶氧化铝钝化介质层的制备，本发明采用在用酸处理的晶体硅基底后同时制备极薄的非晶氧化铝钝化介质层，然后分别制备p型非晶硅碳和n型非晶硅或微晶硅及TCO形成异质结电池。本发明具有工艺简单，晶体硅表面钝化性能好，抗UV辐射性能好，充分利用太阳光等优点。

主权项

一种带有本征层的异质结结构的晶体硅太阳电池，其特征在于：该电池的结构为：在P型或N型的硅基底(5)的上表面依次为2‑10nm上表面非晶氧化铝（401）和5‑15nm的p型非晶硅碳（3），上透明导电层（201）和上金属电极（101）；P型或N型的硅基底(5)的下表面依次为2‑10nm下表面非晶氧化铝（402）和10‑20nm的n型非晶硅或微晶硅(6)，下透明导电层（202）和下金属电极（102）。