[发明专利]一种场效应管及场效应管制造方法有效
| 申请号： | 201110166279.7 | 申请日： | 2011-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN102842505A | 公开（公告）日： | 2012-12-26 |
| 发明（设计）人： | 马万里 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 100871 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种场效应管制造方法，用于解决场效应管制造过程中某些区域氧化层偏薄易被刻蚀穿的问题，满足场效应管制造过程中的过刻蚀需求。所述方法包括：在衬底上制作势阱，及在衬底区域及势阱区域表面生成N+区域、P+区域及栅极区域；通过化学气相淀积的过程在所述衬底区域表面及所述势阱区域表面生成第一氧化层；将所述栅极区域表面的第一氧化层刻蚀掉，除栅极区域表面外其它区域表面的第一氧化层均保留；在刻蚀后的所述衬底区域表面及所述势阱区域表面生成第二氧化层；在所述第二氧化层上生成金属层；对所述金属层进行刻蚀。本发明还公开了用于实现所述方法的系统。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 场效应 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种场效应管制造方法，其特征在于，包括以下步骤：在衬底上制作势阱，及在衬底区域及势阱区域表面生成N+区域、P+区域及栅极区域；通过化学气相淀积的过程在所述衬底区域表面及所述势阱区域表面生成第一氧化层；将所述栅极区域表面的第一氧化层刻蚀掉，除栅极区域表面外其它区域表面的第一氧化层均保留；在刻蚀后的所述衬底区域表面及所述势阱区域表面生成第二氧化层；在所述第二氧化层上生成金属层；对所述金属层进行刻蚀。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
