[发明专利]半导体发光元件制造方法与半导体发光元件无效
| 申请号： | 201110167115.6 | 申请日： | 2011-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN102412349A | 公开（公告）日： | 2012-04-11 |
| 发明（设计）人： | 洪瑞华;卢怡安 | 申请（专利权）人： | 柏光照明股份有限公司;财团法人成大研究发展基金会 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/02;H01L33/10;H01L33/36 |
| 代理公司： | 上海波拓知识产权代理有限公司 31264 | 代理人： | 杨波 |
| 地址： | 中国台湾台北*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提出一种半导体发光元件制造方法与半导体发光元件，上述元件包括磊晶结构、第一电极、功能结构以及第一开口构造，上述方法包括提供基板；在基板上形成磊晶结构，磊晶结构包括第一型掺杂层、发光区以及第二型掺杂层，该磊晶结构通过第一表面接触该基板；进行电极形成步骤，以在第一型掺杂层的第二表面上形成第一电极；进行功能结构形成步骤，通过原位形成方法在第一电极的上方形成功能结构；进行移除步骤，移除基板而露出磊晶结构，以形成暴露的磊晶结构；以及对于该暴露的磊晶结构进行蚀刻步骤，以便于进一步暴露出第一电极的至少部分表面。采用本发明半导体发光元件制造方法与半导体发光元件，可有效简化现有技术手段过于复杂的制程步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 元件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体发光元件制造方法，其特征是，所述半导体发光元件制造方法包括：提供基板；在所述基板上形成至少一组磊晶结构，所述磊晶结构包括第一型掺杂层、发光区以及第二型掺杂层，所述磊晶结构通过其第一表面接触该基板；进行电极形成步骤，以在所述第一型掺杂层的第二表面上形成第一电极；进行功能结构形成步骤，通过原位形成方法在所述第一电极的上方形成功能结构；进行移除步骤，移除所述基板而暴露出所述磊晶结构，以形成暴露的磊晶结构；以及对于所述暴露的磊晶结构进行蚀刻步骤，以便于进一步暴露出所述第一电极的至少部分表面。
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