[发明专利]可调节维持电压ESD保护器件有效
| 申请号： | 201110167566.X | 申请日： | 2011-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN102468297A | 公开（公告）日： | 2012-05-23 |
| 发明（设计）人： | 黃新言 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 陆鑫;高雪琴 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种静电放电(ESD)保护结构，包括：双极PNP晶体管，其具有由设置在第一P+区域之下的第一高压P型注入区形成的发射极和由设置在第二P+区域之下的第二高压P型注入区形成的集电极。ESD保护结构通过控制第一高压P型注入区和第二高压P型注入区之间的距离可以具有可调节阈值电压。基于基本ESD保护结构，ESD保护器件可以为具有不同额定电压的半导体器件提供可靠ESD保护。 | ||
| 搜索关键词： | 调节 维持 电压 esd 保护 器件 | ||
【主权项】：
一种静电放电(ESD)保护器件，包括：双极PNP晶体管，包括：发射极，由第一高压P型区域和设置在所述第一高压P型区域上的第一P+区域形成；以及集电极，由第二高压P型区域和设置在所述第二高压P型区域上的第二P+区域形成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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