[发明专利]利用图案化晶格缓冲层的氮化物基发光器件及其制造方法无效
| 申请号： | 201110169459.0 | 申请日： | 2011-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN102651435A | 公开（公告）日： | 2012-08-29 |
| 发明（设计）人： | 陈周;朴健 | 申请（专利权）人： | 半材料株式会社;朴健 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/16;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人： | 林锦辉;陈英俊 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 公开一种制造氮化物基发光器件的方法，其中，形成图案化的晶格缓冲层以最小化氮化物层的生长时的位错密度并形成空隙以提高发光器件的亮度。该方法包括：在基板上沉积具有纤锌矿晶格结构的材料以形成沉积层；在沉积层的表面上形成蚀刻图案以形成图案化的晶格缓冲层；和在图案化的晶格缓冲层上生长氮化物层。在氮化物层的生长期间，去除图案化的晶格缓冲层以在氮化物层的去除图案化的晶格缓冲层的部分处形成空隙。还公开一种由此制造的氮化物基发光器件。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 图案 晶格 缓冲 氮化物 发光 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种氮化物基发光器件，包含基板上的缓冲层和发光结构，所述氮化物基发光器件包括：基板；形成于所述基板上的缓冲层；以及形成于所述缓冲层上且具有多层氮化物层的发光结构，其中，空隙形成于所述基板与所述缓冲层之间。
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