[发明专利]带有衬底端裸露的器件端电极的半导体器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201110170350.9 | 申请日： | 2011-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN102832244A | 公开（公告）日： | 2012-12-19 |
| 发明（设计）人： | 冯涛;安荷·叭剌 | 申请（专利权）人： | 万国半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/417;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 美国加利福尼亚州*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种带有裸露在衬底端的器件端电极(SEDE)的半导体器件具有带有器件端、衬底端以及位于器件端的半导体器件区(SDR)的半导体衬底(SCS)。为了器件的运行，形成器件端电极(DSE)。直通衬底沟槽(TST)穿过半导体衬底延伸，触及器件端电极，将它变成裸露在衬底端的器件端电极。可以通过导电连接线，穿过直通衬底沟槽，互连裸露在衬底端的器件端电极。器件端电极也可以含有一个延伸的支撑架，堆栈在裸露在衬底端的器件端电极下面，以便在晶圆后处理封装时，为它提供结构支撑。 | ||
| 搜索关键词： | 带有 衬底 裸露 器件 电极 半导体器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种带有裸露在衬底端的器件端电极(SEDE)的半导体器件，其特征在于，该半导体器件包括：一个半导体衬底(SCS)，具有器件端、器件端对面的衬底端以及位于器件端的半导体器件区(SDR)；多个器件端电极(DSE)，形成在器件端上方，并与半导体器件区相接触，用于半导体器件的运行；以及至少一个直通衬底沟槽(TST)，穿过半导体衬底延伸，触及器件端电极，从而将所述的器件端电极变成裸露在衬底端的器件端电极，从而可以通过导电连接线，穿过直通衬底沟槽互联裸露在衬底端的器件端电极。
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