[发明专利]图像传感器及其形成方法有效
| 申请号： | 201110170554.2 | 申请日： | 2011-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN102231384A | 公开（公告）日： | 2011-11-02 |
| 发明（设计）人： | 李杰 | 申请（专利权）人： | 格科微电子（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种图像传感器及其形成方法，其中图像传感器包含：半导体衬底，所述半导体衬底内形成有像素阵列，所述像素包含有感光单元，相邻像素之间以浅沟槽绝缘结构隔开；位于半导体衬底表面的透光层，所述透光层对准感光单元；位于半导体衬底表面的不透光层，所述不透光层包围所述透光层；位于不透光层内的金属层及连接相邻金属层的导电插塞。所述图像传感器像素可以有效阻止入射光线进入其他感光单元，避免发生光学串扰，提高图像传感器像素的图像显示质量。 | ||
| 搜索关键词： | 图像传感器 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种图像传感器，其特征在于，包括：半导体衬底，所述半导体衬底内形成有像素阵列，所述像素包含有感光单元，相邻像素之间以浅沟槽绝缘结构隔开；位于半导体衬底表面的透光层，所述透光层对准感光单元；位于半导体衬底表面的不透光层，所述不透光层包围所述透光层；位于不透光层内的金属层及连接相邻金属层的导电插塞。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于格科微电子（上海）有限公司，未经格科微电子（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110170554.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：光伏接线盒
- 下一篇：一种电子级多晶硅工艺管道洁净度控制施工方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
