[发明专利]高压工艺中不同厚度栅氧的集成方法有效
| 申请号： | 201110170850.2 | 申请日： | 2011-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN102243995A | 公开（公告）日： | 2011-11-16 |
| 发明（设计）人： | 顾学强;周伟 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201210 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种高压工艺中不同厚度栅氧的集成方法，包括以下步骤：提供一衬底，在所述衬底上依次形成氧化层和氮化硅层，所述衬底包括第一区域和第二区域；形成高压浅沟槽隔离结构和低压浅沟槽隔离结构；去除所述第二区域的栅氧化层及部分低压浅沟槽隔离结构；形成最终的高压栅氧化层和低压栅氧化层。综上所述，采用本发明所述方法使最终形成的低压浅沟槽隔离结构与高压浅沟槽隔离结构深度相同，从而有效提高隔离效果，降低漏电情况发生。 | ||
| 搜索关键词： | 高压 工艺 不同 厚度 集成 方法 | ||
【主权项】：
一种高压工艺中不同厚度栅氧的集成方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一衬底，在所述衬底上依次形成氧化层和氮化硅层，所述衬底包括第一区域和第二区域；在所述第一区域中形成高压浅沟槽隔离结构，在所述第二区域中形成低压浅沟槽隔离结构，所述高压浅沟槽隔离结构的深度大于所述低压浅沟槽隔离结构的深度；在所述衬底表面形成栅氧化层；利用湿法刻蚀去除所述第二区域的栅氧化层及部分低压浅沟槽隔离结构，所述第一区域中剩余的栅氧化层形成高压栅氧化层的一部分；利用热氧化工艺，在所述第一区域形成最终的高压栅氧化层，在所述第二区域的表面形成低压栅氧化层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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