[发明专利]一种绝缘体上锗衬底的制备方法

摘要

本发明提供一种GeOI衬底制备方法，属于新型半导体材料器件领域。该GeOI衬底制备方法在制备GeOI衬底的同时，利用注入氟离子的SiO2，实现了锗与埋氧层界面的钝化处理，减少界面态密度，有利于提高GeOI衬底的背界面质量。并降低埋氧化层的介电常数，有利于抑制GeOI MOSFET器件的短沟道效应。

主权项

一种GeOI衬底制备方法，其步骤包括：1)分别对锗衬底和硅衬底进行必要的清洗；2)去除锗衬底和硅衬底表面的自然氧化层；3)在锗衬底上淀积一层SiO2，做为埋氧层；4)在SiO2上淀积一层SixNy；5)向SiO2中注入氟离子；6)在SixNy上淀积一层用于键合的SiO2；7)在硅衬底上生长一层用于键合的SiO2；8)对SixNy上SiO2和硅衬底上的SiO2做表面激活处理，并将两衬底沿激活表面对准键合；9)键合后退火；10)对锗衬底进行减薄。