[发明专利]一种太阳电池P型表面的钝化层的制备方法无效
| 申请号： | 201110173061.4 | 申请日： | 2011-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN102254990A | 公开（公告）日： | 2011-11-23 |
| 发明（设计）人： | 王登志;王栩生;章灵军 | 申请（专利权）人： | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯（中国）投资有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 陶海锋;陆金星 |
| 地址： | 215129 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种太阳电池P型表面的钝化层的制备方法，包括如下步骤：(1)采用真空蒸镀的方法在太阳电池P型表面上制备铝膜；(2)利用阳极氧化法对上述铝膜进行氧化，形成氧化铝；(3)高温退火，即可得到氧化铝钝化层。本发明采用工业上比较成熟的真空蒸铝和阳极氧化法制备得到了P型表面的氧化铝钝化层，操作简单，易于实现，且设备投资少，成本较低，适用于工业化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 太阳电池 表面 钝化 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种太阳电池P型表面的钝化层的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：(1) 采用真空蒸镀的方法在太阳电池P型表面上制备铝膜；(2) 利用阳极氧化法对上述铝膜进行氧化，形成氧化铝；(3) 高温退火，即可得到氧化铝钝化层。
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H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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