[发明专利]锂离子导体及其制备方法无效
| 申请号： | 201110173415.5 | 申请日： | 2011-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN102394289A | 公开（公告）日： | 2012-03-28 |
| 发明（设计）人： | 高农;许展铭;顾大明;顾硕 | 申请（专利权）人： | 黑龙江工程学院 |
| 主分类号： | H01M4/48 | 分类号： | H01M4/48 |
| 代理公司： | 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 | 代理人： | 韩末洙 |
| 地址： | 150050 黑龙江*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 锂离子导体及其制备方法，它属于锂离子电池导体领域。本发明要解决现有无机锂离子导体存在电导率低的问题。锂离子导体是在LixMyNzO12或LixAMyNzO12中扩渗B而制成的。一、称取原料；二、将原料和水混合，湿磨1小时，搅拌烘干后球磨或研磨，再煅烧，研磨成粉状，即得到LixMyNzO12或LixAMyNzO12；三、制渗液；四、扩渗得到锂离子导体。本发明通过掺杂改变其晶格参数，造成局部晶格缺陷，从而提高离子电导率；并且气相扩渗对纳米粉体或微米粉体的颗粒表面进行微扰，造成局部晶格缺陷，达到进一步提高离子电导率的目的。锂离子导体的电导率可达到10-5S/cm，甚至接近10-4S/cm。 | ||
| 搜索关键词： | 锂离子 导体 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
锂离子导体，其特征在于锂离子导体是在LixMyNzO12中扩渗B而制成的，其中M为稀土元素，N为Nb、Ta、Bi或Sb，B为La、Ce、Sm、Tb、Lu、Nb、Ta、Bi或Sb。
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